半導体レーザ素子

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ素子
其他题名	半導体レーザ素子
	田中俊明; 梶村俊
	1997-11-28
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1998-03-09
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a semiconductor laser element having the characteristics of high output power and low noises required for a light source for optical disks by providing a multiple-quantum-well structure for the active layer of a self-oscillating laser. CONSTITUTION:On an N-type GaAs substrate 1, the following layers are sequentially grown as crystals at first by an organic metal vapor growth (MOCVD) method and the like: an N-type GaAs buffer layer 2; an undoped AlGaAs multiple-quantum-well structured active layer 4; a P-type AlxGa1-xAs clad layer 5; and a P-type GaAs layer 6. Thereafter, an insulating film is formed on the upper part of the crystal. A stripe shaped ridge waveguide 11 is formed by utilizing the mask of said insulating film. With the mask of the insulating film made to remain, an N-GaAs current narrowing layer 7 is selectively grown as a crystal by the same height as that of the step difference of the ridge. The mask of the insulating film is etched away. Thereafter, a P- GaAs embedded layer 8 undergoes crystal growing again. In this way, the generated optical output and the self-oscillating optical output can be improved by using the multiple-quantum-well structure for the active layer 4. Thus the characteristics of high output power and low noises of the semiconductor laser can be improved.
其他摘要	目的：通过为自激振荡器的有源层提供多量子阱结构，获得具有高输出功率和低光噪声特性的半导体激光器元件。组成：在N型GaAs衬底1上，首先通过有机金属气相生长（MOCVD）方法等依次生长以下层作为晶体：N型GaAs缓冲层2;未掺杂的AlGaAs多量子阱结构有源层4; P型Al x Ga 1-x As包覆层5;然后，在晶体的上部形成绝缘膜。通过利用所述绝缘膜的掩模形成条形脊形波导11。在保留绝缘膜的掩模的情况下，N-GaAs电流窄化层7选择性地生长为晶体，其高度与脊的台阶差相同。蚀刻掉绝缘膜的掩模。此后，P-GaAs嵌入层8再次经历晶体生长。这样，通过将多量子阱结构用于有源层4，可以改善产生的光输出和自振荡光输出。因此，可以改善半导体激光器的高输出功率和低噪声的特性。。
申请日期	1988-09-07
专利号	JP2723921B2
专利状态	失效
申请号	JP1988222310
公开（公告）号	JP2723921B2
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S \| H01S5/223 \| H01S5/343 \| H01S5/22 \| H01S5/065 \| H01S5/34 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81758
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	田中俊明,梶村俊. 半導体レーザ素子. JP2723921B2[P]. 1997-11-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2723921B2.PDF（28KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文