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OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

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其他题名	-
	MUSHIGAMI MASAHITO; TANAKA HARUO; ISHIDA JUJI; NAKADA NAOTARO
	1989-08-09
专利权人	ROHM KK
公开日期	1989-08-09
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To improve the electrical and optical characteristics by a method wherein after the first grown layer is formed, etching is made to such a depth that a light absorbing layer is properly left so as to form a stripe groove where the first upper clad layer is not exposed and the residual light absorbing layer and a surface protecting layer are evaporated to form the second grown layer. CONSTITUTION:A photoresist 60 covers a surface protecting layer 26 except in the part where a stripe groove is formed of the semiconductor substrate 10 on which the first grown layer 20 is formed. The surface protecting layer 26, an evaporation preventing layer 25 and a light absorbing layer 24 are etched selectively to such a depth that the light absorbing layer 24 is left properly (e.g., about 1,000 Angstrom ) thereby forming a stripe groove 30. By heating the substrate 10 at about 740 deg.C with exposing it to arsenic molecular beams, the impurities deposited on it during the etching process are evaporated and further a part of or all of the surface protecting layer 26 and the left light absorbing layer 24 is evaporated. A temperature of the substrate 10 is determined to be about 600 deg.C and the second upper clad layer 41 and a cap layer 42 consisting of P type GaAs are laminated in order to form the second grown layer 40.
其他摘要	用途：为了通过一种方法改善电学和光学特性，其中在形成第一生长层之后，蚀刻到这样的深度，即适当地留下光吸收层，以便形成条纹槽，其中第一上包层是未曝光，残留的光吸收层和表面保护层蒸发，形成第二生长层。组成：光致抗蚀剂60覆盖表面保护层26，除了在其上形成有第一生长层20的半导体基板10形成条纹槽的部分。将表面保护层26，蒸发防止层25和光吸收层24选择性地蚀刻到使光吸收层24适当地保持（例如，大约1000埃）的深度，从而形成条纹凹槽30。在约740℃的基板10上将其暴露于砷分子束，在蚀刻过程中沉积在其上的杂质被蒸发，并且表面保护层26和左光吸收层24的一部分或全部被蒸发。确定衬底10的温度为约600℃，并且层叠第二上覆层41和由P +型GaAs组成的覆盖层42，以形成第二生长层40。
申请日期	1984-11-14
专利号	JP1989037873B2
专利状态	失效
申请号	JP1984241071
公开（公告）号	JP1989037873B2
IPC 分类号	H01L21/203 \| H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81679
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM KK
推荐引用方式 GB/T 7714	MUSHIGAMI MASAHITO,TANAKA HARUO,ISHIDA JUJI,et al. -. JP1989037873B2[P]. 1989-08-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989037873B2.PDF（147KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文