Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| 窪田 晋一; 堀野 和彦; 倉又 朗人 | |
| 2007-03-30 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 2007-06-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】III-V化合物半導体レーザの横モード制御を容易にし、ビーム形状の縦横比を改善し、さらに、AlN 層の成長やパターニングによるダメージを減らす。 【解決手段】n型クラッド層又はp型クラッド層の少なくとも一方のクラッド層内もしくは前記少なくとも一方のクラッド層と活性層の間に、厚さ0〜300nmのAlN からなる横モード制御層を設けた。また、基板上にマスク層を形成し、それを覆うようにAlN 層を形成した後、前記マスク層をエッチングできる溶液を用いてAlN 層をリフトオフする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在横向模式下轻松控制III-V族化合物半导体激光器，改善激光束的纵横比，并通过AlN层的生长和图案化来减少损坏。解决方案：在N型覆层12和14之间或者在P型覆层6和8之间，或者在上述之一之间提供厚度为0-300nm的AlN横向模式控制层13或7。包层和活动层。在衬底上形成掩模层，形成AlN层以覆盖掩模层，并且通过使用能够蚀刻掩模层的溶液来剥离AlN层。 |
| 申请日期 | 1999-11-18 |
| 专利号 | JP3936109B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999328397 |
| 公开（公告）号 | JP3936109B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/02 | H01S | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/223 | H01S5/227 | H01S5/32 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | 岡本 啓三 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81663 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 窪田 晋一,堀野 和彦,倉又 朗人. 半導体発光装置及びその製造方法. JP3936109B2[P]. 2007-03-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3936109B2.PDF（191KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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