Optical integrated circuit device

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	Optical integrated circuit device
其他题名	Optical integrated circuit device
	TAKIGAWA SHINICHI; ITO KUNIO; KANO KOTA
	1987-12-23
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1987-12-23
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain an optical integrated circuit capable of operating at high speed by manufacturing an MESFET to a p-type GaAs growth layer in a BTRS type laser and making a source section in the MESFET and an internal stripe section in the BTRS type laser common. CONSTITUTION:p-type GaAs 2 is grown on a semi-insulating GaAs substrate 1, a stripe is formed to a section as a laser, n-type GaAs 3 is grown, and a ridge is shaped to the stripe section. A p-type AlGaAs clad layer 4, an AlGaAs active layer 5, an n-type AlGaAs clad layer 6 and an ntype AlGaAs cap layer 7 are grown in succession, and growth layers except a section as the laser are etched through a photolithographic techanique. The p-type GaAs 2 in not etched because it is used as an active layer in an MESFET at that time. A laser n-type electrode 8 and an FET drain electrode 9 are vacuum-deposited, and alloyed, and lastly a gate electrode 10 is shaped.
其他摘要	目的：通过在BTRS型激光器中制造MESFET至p型GaAs生长层，并在MESFET中制作源极部分和在BTRS型激光器中制作内部条纹部分，获得能够高速工作的光学集成电路。组成：在半绝缘GaAs衬底1上生长p型GaAs 2，在激光部分形成条纹，生长n型GaAs 3，并在条纹部分形成脊。依次生长p型AlGaAs包层4，AlGaAs有源层5，n型AlGaAs包层6和n +型AlGaAs盖层7，并且除了作为激光的部分之外的生长层被蚀刻通过光刻技术。 p型GaAs 2未被蚀刻，因为此时它用作MESFET中的有源层。将激光n型电极8和FET漏电极9真空沉积并合金化，最后形成栅电极10。
申请日期	1986-06-17
专利号	JP1987296557A
专利状态	失效
申请号	JP1986140685
公开（公告）号	JP1987296557A
IPC 分类号	H01L27/15 \| H01L27/06 \| H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81562
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	TAKIGAWA SHINICHI,ITO KUNIO,KANO KOTA. Optical integrated circuit device. JP1987296557A[P]. 1987-12-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987296557A.PDF（105KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文