Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| YAGI TETSUYA | |
| 1988-10-31 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 公开日期 | 1988-10-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To hardly perform the absorption of a laser light at the end face of a laser and to increase a COD level by doping more than the quantity of P-type inverting a P-type impurity near the end face from the surface of the laser to a level of one half of an N-type second clad layer. CONSTITUTION:An impurity is so doped that a P-type is obtained from the surface of a laser near the end face of the laser to one half of an N-type second clad layer 6. Since a P-type-doped layer near the end face composes a P-N-P structure of this section, the clad layer 6 disposed directly below, a P-type active layer 5 and a P-type first clad layer 4, and a current flowing to the vicinity of the end face is blocked. Thus, it can prevent a laser light from being absorbed due to the heat generation at the end face owing to the current flowing near the end face, a laser light at the end face of a chip is absorbed to increase a so-called COD level in which the end face is damaged. Thus, the COD level can be raised without reducing the thickness of the active layer. |
| 其他摘要 | 用途：难以在激光器的端面吸收激光，并且通过掺杂超过P型的量来增加COD水平从反射器端面附近的P型杂质反转端面附近的P型杂质到N型第二包层的一半的水平。组成：掺杂杂质使得从激光器端面附近的激光器表面到N型第二包层6的一半获得P型。由于P型掺杂层靠近端面构成该部分的PNP结构，直接设置在下面的包层6，P型有源层5和P型第一包层4，并且阻挡流向端面附近的电流。因此，由于在端面附近流动的电流，可以防止激光由于端面处的热量而被吸收，芯片端面的激光被吸收，从而增加所谓的COD水平端面损坏的地方。因此，可以在不减小有源层厚度的情况下提高COD水平。 |
| 申请日期 | 1987-04-22 |
| 专利号 | JP1988263790A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1987100611 |
| 公开（公告）号 | JP1988263790A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81548 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YAGI TETSUYA. Semiconductor laser. JP1988263790A[P]. 1988-10-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1988263790A.PDF（206KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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