Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 大久保 典雄 | |
| 2005-09-09 | |
| 专利权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 公开日期 | 2005-11-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 CODを防ぎ、高出力で高信頼性の半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 化合物半導体基板1上に設けられた、活性層5をクラッド層3、7で挟んでなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の共振器長方向のへき開された出射端面近傍かつ前記活性層5上に設けられた電流非注入領域8aと、前記出射端面上に積層された、活性層5よりもバンドギャップが大きい半導体層11とを備える。 |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法，使半导体激光器元件能够受到COD保护并增强输出功率，其中与双异质结构的突出端面相邻的有源层上的电流非注入区域沿着长度方向切割。提供了谐振器和大于带隙中的有源层的半导体层。组成：n-GaAs缓冲层2，n-AlGaAs下包层3，GaAs下部光限制层4，有源层5，GaAs上部光俘获层6，P-AlGaAs上部包层7，和在n-GaAs衬底1上依次层叠P ++ -GaAs盖层8.盖层8和上包层7被蚀刻以形成脊台面，盖层8的一部分形成只要谐振器的长度可以去除脊台面的顶部以便用作电流非注入区域8a，并且形成SiOx层9，电极接触窗口9a和AlOx层10。因此，当在解理端面上生长带隙大于有源层5的InGaP层11时，可以获得功率输出高且可靠性高的半导体激光器元件，从而防止COD。 |
| 申请日期 | 1995-06-29 |
| 专利号 | JP3717206B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995163817 |
| 公开（公告）号 | JP3717206B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/028 | H01S5/00 | H01S5/16 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81434 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄. 半導体レーザ素子. JP3717206B2[P]. 2005-09-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3717206B2.PDF（40KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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