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Semiconductor laser
其他题名Semiconductor laser
IKAWA, KATSUHIKO; MATAKI, HIROSHI; UCHIDA, SATOSHI
1994-11-29
专利权人ROHM CO., LTD.
公开日期1994-11-29
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要A self-aligned type, high-power semiconductor laser is provided which exhibits multi-longitudinal mode oscillation in the low-power operation (at a light power output of, for example, 3 mW) through it is of a refractive index guiding structure capable of single transverse mode oscillation in up to the high-power operation. Specifically, the semiconductor laser is of an AlGaAs system and has a waveguide mechanism resulting from complex refractive index, and wherein a current-blocking layer is 2000 to 6000 ANGSTROM thick.
其他摘要提供一种自对准型高功率半导体激光器,其在低功率操作(在例如3mW的光功率输出)下呈现多纵模振荡,具有折射率引导结构。单向横模振荡直到大功率运行。具体地,半导体激光器是AlGaAs系统并且具有由复数折射率产生的波导机构,并且其中电流阻挡层的厚度为2000至6000埃。
申请日期1993-06-25
专利号US5369658
专利状态失效
申请号US08/081192
公开(公告)号US5369658
IPC 分类号H01S5/223 | H01S5/00 | H01S5/323 | H01S5/22 | H01S5/20 | H01S3/19
专利代理人-
代理机构NIKAIDO,MARMELSTEIN,MURRAY & ORAM
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81367
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ROHM CO., LTD.
推荐引用方式
GB/T 7714
IKAWA, KATSUHIKO,MATAKI, HIROSHI,UCHIDA, SATOSHI. Semiconductor laser. US5369658[P]. 1994-11-29.
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