Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 大久保 典雄 | |
| 1998-04-14 | |
| 专利权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 公开日期 | 1998-04-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 CODを抑制することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子の端面に半導体保護層を形成する工程を有する半導体レーザ素子の製造方法において、半導体レーザ素子の端面をハロゲン系ガスに晒し、その直後に半導体保護層を形成する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过将半导体激光元件的端面暴露于卤素气体并形成半导体保护膜来抑制光学端面损坏。解决方案：在基板100上层叠n-AlGaAs包层102，光限制层103，有源层104，光限制层105，p-AlGaAs包层106和盖层107。图案化后，盖层107和包层106被蚀刻以形成特定高度的脊台面，在整个层叠表面上形成氮化硅膜111，去除脊台面顶部上的光纤111，基板100是在层压板和基板100上抛光以形成电极121,122。为了形成谐振器端面，它在脊台面长度方向上垂直切割，并且切割面132暴露于卤素气体，例如，形成HCl并因此形成保护膜131。 |
| 申请日期 | 1996-09-24 |
| 专利号 | JP1998098237A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996251537 |
| 公开（公告）号 | JP1998098237A |
| IPC 分类号 | H01L21/314 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81351 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1998098237A[P]. 1998-04-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998098237A.PDF（19KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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