半導体レーザの製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	阿部雄次; 杉本博司; 大塚健一; 大石敏之; 松井輝仁
	1997-03-11
专利权人	三菱電機株式会社
公开日期	1997-06-11
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a semiconductor lase of uniform coupling constant favorably in reproducibility by arranging the constitution such that a barrier layer and a diffraction grating layer are grown on an active layer, and etching is performed with a diffraction grating pattern as an etching mask so that it may reach the barrier layer, and thereon a clad layer is grown again. CONSTITUTION:An active layer 5, a barrier layer 23, and a diffraction grating layer 2b are crystal-grown in order on a substrate 1a. Moreover, the thickness of the barrier layer 23 is made s, and the thickness of the diffraction grating layer 2b is made t. Hereupon, the relation between s and t is s>t. The diffraction grating layer 2b in the region ls in length at and around the center of an element is removed. Thereafter, a uniform diffraction gating pattern is formed by two-beam interference exposure method, etc., and etching is done so that the depth may be not less than t and not more than s by chemical etching, etc., so as to form a diffraction grating 3 for distributed feedfack. And further, a clad layer 6 and a contact layer 7 are crystal-grown. Since the barrier layer 23 and the clad layer 6 are of the same composition, parallel stripes of a diffraction grating layer 4 do not exist in a phase shift region. Lastly, a p-electrode 8 and an n-electrode 9 are formed, and reflection preventive films 10 are formed at both ends.
其他摘要	目的：通过在有源层上生长阻挡层和衍射光栅层的结构，以有利的再现性获得均匀耦合常数的半导体激光器，并用衍射光栅图案作为蚀刻掩模进行蚀刻，以便它可以到达阻挡层，并且在其上再次生长包层。组成：在基板1a上依次晶体生长有源层5，阻挡层23和衍射光栅层2b。此外，使阻挡层23的厚度为s，并使衍射光栅层2b的厚度为t。于是，s和t之间的关系是s> t。在元件中心处和周围的区域ls中的衍射光栅层2b被去除。此后，通过双光束干涉曝光方法等形成均匀的衍射选通图案，并且通过化学蚀刻等进行蚀刻使得深度可以不小于t且不大于s，从而形成用于分布式反馈的衍射光栅3。此外，包覆层6和接触层7是晶体生长的。由于阻挡层23和包层6具有相同的组成，因此衍射光栅层4的平行条纹不存在于相移区域中。最后，形成p电极8和n电极9，并在两端形成防反射膜10。
申请日期	1989-05-22
专利号	JP2619057B2
专利状态	失效
申请号	JP1989129346
公开（公告）号	JP2619057B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/12 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	早瀬憲一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81319
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	阿部雄次,杉本博司,大塚健一,等. 半導体レーザの製造方法. JP2619057B2[P]. 1997-03-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2619057B2.PDF（86KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文