Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 池上 隆俊; 本多 正治; 三宅 輝明; 中島 健二; 藪内 隆稔 | |
| 1998-06-19 | |
| 专利权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 公开日期 | 1998-06-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 活性層の結晶性の劣悪化を防ぎ、寿命を長くし、動作電圧を低くした半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体基板1上に活性層とクラッド層を積層するGaInP系の半導体レーザにおいて、活性層4の上に積層するクラッド層5は、活性層4に隣接する亜鉛濃度の低い第1のクラッド層5aと、その第1のクラッド層5aの上に積層された第1のクラッド層より亜鉛濃度が高く電流狭搾効果を有した第2のクラッド層5bとを設けた。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体激光器，其有源层不会结晶，其寿命延长，工作电压低。解决方案：在GaInP系统半导体激光器中，其具有在半导体衬底上构建的有源层和包层，在有源层4上构建的包层5由构建的第一包层5a构成。直接在有源层4上具有低锌浓度和第二包层5b，第二包层5b构建在第一包层5a上并且具有高于第一包层的锌浓度并且具有电流收缩效应。 |
| 申请日期 | 1996-11-29 |
| 专利号 | JP1998163565A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996320354 |
| 公开（公告）号 | JP1998163565A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 安富 耕二 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81309 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池上 隆俊,本多 正治,三宅 輝明,等. 半導体レーザ. JP1998163565A[P]. 1998-06-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998163565A.PDF（18KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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