Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 福嶋 丈浩; 近藤 真人 | |
| 1994-03-11 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1994-03-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】本発明は、半導体レーザ装置及びその製造方法に係り、特にp型GaAs基板を用いて形成された半導体レーザ及びその製造方法に関し、Znをドープしたp-GaAs基板を用いても、Znがクラッド層等に拡散してしまうことがないようにした半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】Znをドープしたp-GaAs基板2上に、カーボンをドープしたメサ形状のカーボンドープAlGaAs層4が形成されている。メサ部端部からなだらかに下降する傾斜を持ちながらメサを埋め込むように、電流ブロック層6が形成されている。電流ブロック層6及びカーボンドープAlGaAs層4のメサ上部に、Znをドープした下部クラッド層8が形成されている。下部クラッド層8上には活性層10が形成されている。活性層10上には上部クラッド層12が形成されているように構成する。 |
| 其他摘要 | 用途：为了在包层等中扩散Zn，即使在半导体激光器中使用Zn掺杂的p型GaAs衬底，也使用其中制造衬底的方法。组成：在掺杂Zn的p型GaAs衬底2上形成掺杂碳的台面形碳掺杂AlGaAs层4.形成电流阻挡层6以掩埋台面，同时具有从平滑下降的倾斜度。台面的尽头。在层6,4的台面上形成掺杂有Zn的下包层8.在层8上形成有源层10.在层10上形成上包层12。 |
| 申请日期 | 1992-08-21 |
| 专利号 | JP1994069595A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992222855 |
| 公开（公告）号 | JP1994069595A |
| IPC 分类号 | C08G59/24 | C08G59/06 | H01S5/00 | C07D301/27 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 北野 好人 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81252 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福嶋 丈浩,近藤 真人. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1994069595A[P]. 1994-03-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994069595A.PDF（37KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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