半導体発光装置

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	半導体発光装置
其他题名	半導体発光装置
	奥山浩之; 秋本克洋; 石橋晃; 白石誠司; 伊藤哲; 中野一志; 池田昌夫; 日野智公; 浮田昌一
	2004-05-28
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2004-08-25
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】 II-VI族化合物半導体により半導体発光素子を構成する場合の発光強度の劣化等の改善をはかり、より低閾値での連続的な発振を行えるようにする。【構成】半導体基板1と、半導体基板1上の第1導電型の第1のクラッド層2と、この第1のクラッド層2上の活性層4と、この活性層4上の第2導電型の第2のクラッド層6とを有して成り、第1および第2のクラッド層が、Zn、Hg、Cd、Mgのうちの少なくとも1種類以上の元素と、S、Se、Teのうちの少なくとも1種類以上のVI族元素によるII-VI族化合物半導体より成り、第1および第2のクラッド層および第2のクラッド層のうちの少なくとも一方と半導体基板との格子不整Δa/a (%)を-0.9 % ≦ Δa/a ≦ 0.5%(aは半導体基板の格子定数、ac は第1または第2のクラッド層の少なくとも一方の格子定数で、Δa=ac -a)。
其他摘要	用途：当半导体发光元件由II-VI化合物半导体构成时，提高发光强度，并以低阈值实现连续振荡。构成：标题器件由半导体衬底1，衬底1上的第一导电类型的第一覆盖层2，第一覆盖层2上的有源层4和第二导电类型的第二覆盖层6组成，第一和第二覆盖层由II-VI族化合物半导体构成，所述II-VI族化合物半导体由Zn，Hg，Cd和Mg中的至少一种或多种元素和至少一种或多种第7族元素S，Se和Te。第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个与半导体衬底之间的晶格失配DELTAa / a（％）在-0.9≤δ/ a /a≤0.5％的范围内，其中（a）半导体衬底的晶格常数，ac是第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个的晶格常数，DELTAa = ac-a。
申请日期	1994-05-09
专利号	JP3557644B2
专利状态	失效
申请号	JP1994095097
公开（公告）号	JP3557644B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01L33/40 \| H01S5/327 \| H01L33/06 \| H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01L33/00
专利代理人	角田芳末 \| 磯山弘信
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81232
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	奥山浩之,秋本克洋,石橋晃,等. 半導体発光装置. JP3557644B2[P]. 2004-05-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3557644B2.PDF（134KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文