Semiconductor laser device

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	Semiconductor laser device
其他题名	Semiconductor laser device
	OKAI MAKOTO; SAKANO SHINJI; UOMI KAZUHISA; KAYANE NAOKI
	1990-06-13
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	1990-06-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a stable longitudinal single mode selectivity and to vary an oscillation wavelength in a range of 10nm by applying a magnetic field from a specific direction to a semiconductor laser device. CONSTITUTION:An InGaAsP active layer 2 doped with 0.5wt.% of erbium with an organic metal epitaxially grown layer, a P-type InGaAsP antimeltback layer, a P-type InP clad layer 4, a P-type InGaAsP can layer 5 are sequentially grown in a multilayer from top of an N-type InP substrate Then, a P-type side electrode 6 and an N-type side electrode 7 are formed by an electron beam depositing method, cleaved 300mum of resonator to obtain a desired laser structure. A coil 8 is provided above and below semiconductor lasers 1 - 7, and a magnetic field is applied in a direction of an arrow. Thus, an oscillation wavelength can be varied over a range of 10nm, and it can be oscillated in a longitudinal single mode over this wavelength varying range.
其他摘要	目的：通过将来自特定方向的磁场施加到半导体激光器件，获得稳定的纵向单模选择性并改变10nm范围内的振荡波长。组成：掺杂有0.5wt。％铒的InGaAsP有源层2，有机金属外延生长层，P型InGaAsP反熔层，P型InP包层4，P型InGaAsP罐层5依次然后，通过电子束沉积方法形成P型侧电极6和N型侧电极7，切割300mum的谐振器以获得所需的激光器，从而形成多层的N型InP衬底1的顶部。结构体。线圈8设置在半导体激光器1-7的上方和下方，并且沿箭头方向施加磁场。因此，振荡波长可以在10nm的范围内变化，并且它可以在该波长变化范围内以纵向单模振荡。
申请日期	1988-12-07
专利号	JP1990154491A
专利状态	失效
申请号	JP1988307820
公开（公告）号	JP1990154491A
IPC 分类号	H04B10/00 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H04B10/40 \| H04B10/50 \| H04B10/60 \| H01S3/18 \| H04B10/02
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81222
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	OKAI MAKOTO,SAKANO SHINJI,UOMI KAZUHISA,et al. Semiconductor laser device. JP1990154491A[P]. 1990-06-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990154491A.PDF（122KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文