面発光型半導体レーザの製造方法

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	面発光型半導体レーザの製造方法
其他题名	面発光型半導体レーザの製造方法
	古沢浩太郎; 茨木晃; 川島健児; 石川徹
	1998-12-18
专利权人	科学技術振興事業団
公开日期	1999-03-03
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To make it possible to form a very small section to be buried which has a small dependence upon crystal azimuth performance and remove etching mask completely by using a laminated layer body of an SiO2 film and a resist layer as a mask, and then carrying out chemical etching for GaAlAs and the SiO2 film. CONSTITUTION:A buffer layer 2, a first clad layer 3, an activity layer 4, a second clad layer 5, a cap layer 6, and a first mask layer 7 are formed continuously on a substrate On the mask layer 7 there are formed an SiO2 film 8 and further a resist layer 9. The SiO2 film 8 excepting the area where the resist layer 9 is formed is removed by etching with an etchant for SiO2. Then, a lamination layer body of the SiO2 film 8 and the resist layer 9, which is used as a mask, is etched up to a section directly over the first clad layer 3 so that a round-shaped mesa section may be formed. Then, the first mask layer 7 is side-etched with a GaAlAs etchant and a non-reactive section 8a of the SiO2 film 8 is exposed. After that process is over, the SiO2 film 8 is etched and removed with the etchant for SiO2. During this operation, both the resist layer 9 and a reactant 10 are removed.
其他摘要	目的：通过使用SiO2薄膜和抗蚀剂层的叠层体作为掩模，可以形成一个非常小的埋藏部分，它对晶体方位角性能有很小的依赖性并完全去除蚀刻掩模，然后进行对GaAlAs和SiO2薄膜进行化学蚀刻。组成：缓冲层2，第一包层3，活性层4，第二包层5，盖层6和第一掩模层7连续形成在基板1上。在掩模层7上有形成SiO2膜8和另外的抗蚀剂层9.除了形成抗蚀剂层9的区域之外的SiO2膜8通过用SiO 2蚀刻剂蚀刻除去。然后，将SiO 2膜8的叠层体和用作掩模的抗蚀剂层9蚀刻到第一包层3正上方的部分，从而可以形成圆形台面部分。然后，用GaAlAs蚀刻剂对第一掩模层7进行侧面蚀刻，并暴露出SiO2膜8的非反应性部分8a。在该过程结束后，蚀刻SiO 2膜8并用SiO 2蚀刻剂除去。在该操作期间，去除抗蚀剂层9和反应物10。
申请日期	1989-12-05
专利号	JP2864258B2
专利状态	失效
申请号	JP1989316825
公开（公告）号	JP2864258B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	河野登夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81156
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	科学技術振興事業団
推荐引用方式 GB/T 7714	古沢浩太郎,茨木晃,川島健児,等. 面発光型半導体レーザの製造方法. JP2864258B2[P]. 1998-12-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2864258B2.PDF（29KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文