半導体レ-ザおよびその使用方法

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	半導体レ-ザおよびその使用方法
其他题名	半導体レ-ザおよびその使用方法
	松井輝仁; 大塚健一; 杉本博司; 阿部雄次; 大石敏之
	1996-06-14
专利权人	三菱電機株式会社
公开日期	1996-08-21
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To easily couple with an external optical fiber or the like and to obtain the high coupling efficiency at any wavelength by a method wherein two or more quantum well active layers, which are arranged on an identical light path in a propagation direction of a laser beam inside a single resonator and whose structure of an energy level is different, and a diffraction grating as a reflector on one side of the resonator are installed so that an electric current can be impressed independently of each other. CONSTITUTION:Quantum well active layers 14a, 14b are composed of AlxGa1-xAs of a material of the same constituents; their thickness is different from each other; accordingly, the discrete energy levels are different at the quantum well active layer 14a and the quantum well active layer 14b. If a function to select any wavelength is available, a laser is oscillated at a wavelength which corresponds to a range between these prescribed energy levels. In this semiconductor laser, a diffraction grating 18 as a reflector on one side of a resonator is installed at a part of an interface between a light waveguide layer 13 and a clad layer 12; accordingly, the laser is oscillated by the light of the prescribed energy level which corresponds to the wavelength satisfying Bragg's reflection condition of this diffraction grating 18. If an electric current is impressed on this diffraction grating 18 between a p-electrode 20b and an n-electrode 19, a length of a cycle of the diffraction grating 18 is changed effectively with reference to the light.
其他摘要	用途：容易与外部光纤等耦合，并通过一种方法获得任何波长的高耦合效率，其中两个或多个量子阱有源层在激光传播方向上排列在相同的光路上在单个谐振器内部并且其能级结构不同，并且在谐振器的一侧上安装作为反射器的衍射光栅，使得可以彼此独立地施加电流。组成：量子阱有源层14a，14b由相同成分材料的AlxGa1-xAs组成;它们的厚度彼此不同;因此，量子阱有源层14a和量子阱有源层14b的离散能级不同。如果可以选择任何波长的功能，则激光器的波长对应于这些规定的能级之间的范围。在该半导体激光器中，作为谐振器一侧的反射器的衍射光栅18安装在光波导层13和包层12之间的界面的一部分上;因此，激光通过规定能级的光振荡，该能级对应于满足该衍射光栅18的布拉格反射条件的波长。如果在p-电极20b和n-之间的该衍射光栅18上施加电流。在电极19中，衍射光栅18的周期长度参照光有效地改变。
申请日期	1987-05-08
专利号	JP2526898B2
专利状态	失效
申请号	JP1987112921
公开（公告）号	JP2526898B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/0625 \| H01S5/34 \| H01S5/10 \| H01S5/00 \| H01S5/40 \| H01S3/18
专利代理人	宮田金雄 (外3名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81033
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	松井輝仁,大塚健一,杉本博司,等. 半導体レ-ザおよびその使用方法. JP2526898B2[P]. 1996-06-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2526898B2.PDF（32KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文