Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| TANAKA, AKIRA | |
| 2009-10-27 | |
| 专利权人 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 公开日期 | 2009-10-27 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor laser device includes: an active layer having a single or multiple quantum well structure including a well layer of InwGa1-wN (0.08≦w≦0.2) and a barrier layer of InbGa1-bN (0.01≦b≦0.05); a cladding layer of AlyGa1-yN (0≦y≦0.1) provided on the active layer, the cladding layer including a ridge portion extending like a stripe in axial direction of an optical cavity and a non-ridge portion located on both sides of the ridge portion; and an overflow blocking layer of AlzGa1-zN (y |
| 其他摘要 | 一种半导体激光装置，包括：具有单个或多个量子阱结构的有源层，包括InwGa1-wN（0.08≤w≤0.2）的阱层和InbGa1-bN的阻挡层（0.01≤b≤0.05）;设置在有源层上的包覆层AlyGa1-yN（0≤y≤0.1），包覆层包括在光学腔的轴向方向上像条纹一样延伸的脊部和位于该有源层的两侧的非脊部。脊部;以及在有源层和包层之间提供AlzGa1-zN（y |
| 申请日期 | 2007-09-06 |
| 专利号 | US7609739 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US11/850939 |
| 公开（公告）号 | US7609739 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | OBLON,SPIVAK,MCCLELLAND,MAIER & NEUSTADT,L.L.P. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81027 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TANAKA, AKIRA. Semiconductor laser device. US7609739[P]. 2009-10-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US7609739.PDF（538KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [TANAKA, AKIRA]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [TANAKA, AKIRA]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [TANAKA, AKIRA]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论