Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 |
| 長濱 慎一; 中村 修二 | |
| 2007-10-19 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 2007-12-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 厚膜のAlを含む窒化物半導体、またはAl混晶比の高い窒化物半導体を成長可能として、その窒化物半導体をクラッド層、コンタクト層として有する窒化物半導体素子を提供する。 【構成】 結晶欠陥が1×107個/cm2以下の窒化物半導体よりなる下地層上に、Inを含む井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有し、その活性層と下地層との間に、アルミニウムを含む窒化物半導体を含む第1の窒化物半導体層が成長されている。これは、下地層の歪みが小さいのでその上に格子不整合状態で成長させるAlGaN層の歪みも小さくなるために、AlGaNが厚膜で成長できてクラッド層、コンタクト層となる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：使氮化物半导体能够以高混晶比生长含有厚Al膜或Al的氮化物半导体，并提供具有氮化物半导体作为包层和接触层的氮化物半导体器件。解决方案：在具有1×10 7个/ cm 2或更低的晶体缺陷的氮化物半导体形成的基层3上方提供具有含In阱层的量子阱结构的有源层5，并且在有源层5和基极层3之间生长包含含Al的氮化物半导体的氮化物半导体层4.由于基极层3具有较少的失真，因此使AlGaN层在基极层3上以非晶格生长。对准状态也变形较小，AlGaN层可以生长得厚以用作包层4和接触层7。 |
| 申请日期 | 1998-05-12 |
| 专利号 | JP4028635B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998127997 |
| 公开（公告）号 | JP4028635B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01L | H01S | H01S5/323 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/00 | H01L33/32 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 吉澤 敬夫 | 蟹田 昌之 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81003 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長濱 慎一,中村 修二. 窒化物半導体発光素子. JP4028635B2[P]. 2007-10-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP4028635B2.PDF（114KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [長濱 慎一]的文章 |
| [中村 修二]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [長濱 慎一]的文章 |
| [中村 修二]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [長濱 慎一]的文章 |
| [中村 修二]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论