Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 妹尾 雅之; 長濱 慎一; 中村 修二 | |
| 2002-01-25 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 2002-04-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 窒化物半導体の新規な電流狭窄と、光閉じ込め技術を提案することにより、レーザ素子を実現する。 【構成】 基板10の上に少なくともn型クラッド層20と活性層30とp型クラッド層40とが順に積層された構造を有する窒化物半導体レーザ素子において、n型クラッド層20、活性層30、およびp型クラッド層40に接して、活性層よりも屈折率が小さい第一のp型窒化物半導体層50が形成され、その第一のp型窒化物半導体層に接して第二のn型窒化物半導体層51が形成され、さらにそのn型窒化物半導体層に接して正電極61、およびp型クラッド層40と電気的に接続された第三のp型窒化物半導体層52が形成されている。 |
| 其他摘要 | 目的：通过提出氮化物半导体的新型电流会聚和光限制技术来实现激光元件。组成：氮化物半导体激光元件具有这样的结构，其中至少n型覆层20，有源层30和p型覆层40顺序层叠在基板10上。第一p型氮化物半导体层50折射率小于有源层的折射率与层20,30和40接触形成，第二n型氮化物半导体激光器51形成为与第一p型氮化物半导体层接触，进一步形成正电极形成与n型氮化物半导体层接触的图61所示的第一p型氮化物半导体层52，并形成与层40电连接的第三p型氮化物半导体层52。 |
| 申请日期 | 1995-12-06 |
| 专利号 | JP3272588B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995317847 |
| 公开（公告）号 | JP3272588B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 青山 葆 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80957 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 妹尾 雅之,長濱 慎一,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3272588B2[P]. 2002-01-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3272588B2.PDF（44KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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