Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 奥山 浩之 | |
| 2000-01-28 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 2000-01-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 活性層に歪みがなく、活性層とクラッド層とのバンドギャップ差が大きい半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAsよりなる基板1の上にn型クラッド層5,第1のガイド層6,活性層7,第2のガイド層8,p型クラッド層9を順次積層する。n型クラッド層5,p型クラッド層9はZnMgSSe混晶により、第1のガイド層6,第2のガイド層8はZnSSe混晶により、活性層7はAlGaAs混晶によりそれぞれ構成する。III-V族化合物半導体はII-VI族化合物半導体に比べてバンドギャップが小さいので、n型クラッド層5,p型クラッド層9と活性層7とのバンドギャップ差を大きくでき、オバーフロー電流を抑制できる。また、活性層7は基板1に格子整合させる。よって、活性層7の結晶性を向上させることができ、特性を向上させることができる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体发光元件，其中在有源层中不存在应变，并且其中有源层和包层之间的带隙差异大。解决方案：在由n型GaAs构成的基板1上依次层叠n型覆层5，第一引导层6，有源层7，第二引导层8和p型覆层9。 n型覆盖层5和p型覆盖层9由ZnMgSSe混晶构成。第一引导层6和第二引导层8由ZnSSe混晶构成。有源层7由AlGaAs混晶构成。由于III-V族化合物半导体的带隙与II-VI族化合物半导体的带隙相比较小，因此n型覆盖层5与p型覆盖层9和有源层7之间的带隙差异可以做得很大，并且可以抑制溢出电流。另外，有源层7与基板1晶格匹配。结果，可以提高有源层7的结晶度，并且可以提高半导体发光元件的特性。 |
| 申请日期 | 1998-07-08 |
| 专利号 | JP2000031590A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998193287 |
| 公开（公告）号 | JP2000031590A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01L33/06 | H01L33/14 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80845 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之. 半導体発光素子. JP2000031590A[P]. 2000-01-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000031590A.PDF（154KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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