Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 河角 孝行; 白石 誠司; 奥山 浩之; 中野 一志 | |
| 1998-01-23 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 転位や欠陥のダングリングボンドを終端させ発光強度の低下を防止することができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 固体ソース分子線エピタキシー法により基板1の上に複数のII-VI族化合物半導体層を成長させ半導体発光素子を製造する。複数のII-VI族化合物半導体層のうち活性層に該当する層およびガイド層に該当する層を成長させる際に、水素をプラズマ発生室24によりプラズマ化してあるいはガスクラッキングセル27により原子状としてあるいは分子状のまま照射する。水素のバックグランドプレッシャは5×10-6torrとする。なお、II-VI族化合物半導体層のうちp型導電層に該当する層を成長させる際には水素を照射しない。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体发光器件的制造方法，其终止诸如位错和缺陷的悬空键并防止发光强度的降低。解决方案：通过固体源分子束外延法在基板1上生长多个II-VI化合物半导体层来制造半导体发光器件。当在多个II-VI化合物半导体层中生长作为有源层的层和作为引导层的层时，氢以等离子体生成室24产生的等离子体的形式发射，或者以原子或分子形式从气体裂解池27.氢的背景压力为5至10 -6托。注意，当在II-VI化合物半导体层中生长作为p型导电层的层时，不发射氢。 |
| 申请日期 | 1996-07-03 |
| 专利号 | JP1998022587A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996192983 |
| 公开（公告）号 | JP1998022587A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80803 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河角 孝行,白石 誠司,奥山 浩之,等. 半導体発光素子の製造方法. JP1998022587A[P]. 1998-01-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998022587A.PDF（40KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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