Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| UENO SHINSUKE | |
| 1988-03-18 | |
| 专利权人 | NEC CORP |
| 公开日期 | 1988-03-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To generate stable self-exciting vibration, to implement a low noise characteristic and to make it possible to maintain basic lateral-mode oscillation, by setting special relationships between refractive indexes of first-fifth clad layers, and making all refractive indexes smaller than the refractive index of an active layer. CONSTITUTION:On an N-type GaAs substrate 10, the following layers are continuously grown by an MOCVD method: an N-type Al0.45Ga0.55As first clad layer 11; a N-type Al0.15Ga0.85As active layer 12; a P-type Al0.45Ga0.55As second clad layer 13; a P-type Al0.36Ga0.64As third clad layer 14; an N-type Al0.5Ga0.5As fourth clad layer 15; and an N-type GaAs block layer 16. After a photoresist film 18 is removed, a groove is formed. A P-type Al0.4Ga0.6As fifth clad layer 20 and a P-type GaAs cap layer 21 are continuously grown. Refractive indexes n1-n5 of the first-fifth clad layers are all smaller than the refractive index of the active layer 12. Relationships n1 |
| 其他摘要 | 目的：通过设置第一至第五层包层的折射率之间的特殊关系，并使所有折射率小于，以产生稳定的自激振动，实现低噪声特性并且可以保持基本的横向模式振荡。有源层的折射率。组成：在N型GaAs衬底10上，通过MOCVD方法连续生长以下层：N型Al0.45Ga0.55As第一包层11; N型Al0.15Ga0.85As有源层12; P型Al0.45Ga0.55As第二包层13; P型Al0.36Ga0.64As第三包层14; N型Al0.5Ga0.5As第四包层15;在去除光致抗蚀剂膜18之后，形成沟槽和N型GaAs阻挡层16。 P型Al0.4Ga0.6As第五包层20和P型GaAs盖层21连续生长。第一至第五包层的折射率n1-n5均小于有源层12的折射率。获得关系n1 |
| 申请日期 | 1986-09-03 |
| 专利号 | JP1988062391A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1986208188 |
| 公开（公告）号 | JP1988062391A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S5/065 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80801 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | UENO SHINSUKE. Semiconductor laser. JP1988062391A[P]. 1988-03-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1988062391A.PDF（290KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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