Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 自励発振型半導体レーザ | |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ |
| 平田 照二; 内田 史朗 | |
| 2003-05-16 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 2003-07-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 高温動作時や高出力動作時にも安定に自励発振をすることが可能な自励発振型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層3上にp型AlGaAsクラッド層4、p型AlGaAsキャリアトラップ層5、p型AlGaAsクラッド層6、p型GaAs吸収層7およびp型AlGaAsクラッド層8を順次積層して設ける。p型AlGaAsクラッド層4,6,8をAl0.5 Ga0.5 Asにより構成し、p型AlGaAsキャリアトラップ層5をAl0.1 Ga0.9 Asにより構成する。p型GaAs吸収層7のバンドギャップを活性層3のGaAs井戸層3aからの光のエネルギー以下とし、p型AlGaAsキャリアトラップ層5のバンドギャップをGaAs井戸層3aからの光のエネルギーよりも大きくする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种自激振荡型半导体激光器，即使在高温操作和高输出操作时也能实现稳定的自激振荡。解决方案：依次构建p型AlGaAs包覆层4，p型AlGaAs载流子捕获层5，p型AlGaAs包覆层6，p型GaAs吸收层7和p型AlGaAs包覆层8 p型AlGaAs包层4,6和8由Al0.5Ga0.5As构成，p型AlGaAs载流子层5由Al0.1Ga0.9As构成。 p型GaAs吸收层7的带隙不大于来自有源层3的GaAs阱层的光的能量.p型AlGaAs载流子捕获层5的带隙大于来自GaAs阱层的光的能量。 |
| 申请日期 | 1996-11-29 |
| 专利号 | JP3427649B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996320091 |
| 公开（公告）号 | JP3427649B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/065 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80795 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平田 照二,内田 史朗. 自励発振型半導体レーザ. JP3427649B2[P]. 2003-05-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3427649B2.PDF（37KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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