Manufacture of semiconductor element

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Manufacture of semiconductor element
其他题名	Manufacture of semiconductor element
	MURAKAMI TOMOKI
	1987-08-14
专利权人	NEC CORP
公开日期	1987-08-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a semiconductor element, whose element characteristics are improved, by forming a thin film comprising a material, whose dissociation pressure is lower than that of a semiconductor substrate on the semiconductor substrate, and providing a plurality of recess parts on the semiconductor substrate. CONSTITUTION:A thin film 2, which comprises a material, whose dissociation pressure is lower than that of a substrate 1, e.g., GaAs, and has a thickness of 1-3,000Angstrom , is formed on a semiconductor, e.g., the InP substrate A plurality of recess parts 3 reaching the upper part of the substrate 1 are formed from the thin film 2. Epitaxial layers 4-6 are formed on the substrate 1, in which the recess parts 3 are formed. Then the epitaxial layers 4, 5 and 6 are formed without the deformation of the shapes of the recess parts 3 due to heating. Thus, the semiconductor element, whose element characteristics are improved, is obtained.
其他摘要	目的：通过形成包含材料的薄膜来获得元件特性得到改善的半导体元件，所述材料的解离压力低于半导体衬底上的半导体衬底的解离压力，并在半导体衬底上提供多个凹陷部分。组成：薄膜2，包括一种材料，其解离压力低于基板1，如GaAs，并具有1-3,000埃的厚度，形成在半导体，如InP基板1从薄膜2形成到达基板1的上部的多个凹陷部分3.在基板1上形成外延层4-6，其中形成凹陷部分3。然后形成外延层4,5和6，而不会由于加热而使凹陷部分3的形状变形。因此，获得了元件特性得到改善的半导体元件。
申请日期	1986-02-12
专利号	JP1987186525A
专利状态	失效
申请号	JP1986029355
公开（公告）号	JP1987186525A
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80707
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	MURAKAMI TOMOKI. Manufacture of semiconductor element. JP1987186525A[P]. 1987-08-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987186525A.PDF（143KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文