Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| OLSEN, GREGORY H.; ZAMEROWSKI, THOMAS J. | |
| 1984-01-31 | |
| 专利权人 | RCA CORPORATION |
| 公开日期 | 1984-01-31 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor laser includes a body having parallel end faces and a substrate having a ridge in a major surface thereof which extends between the end surfaces, an active layer overlying the ridge and which tapers in thickness from that portion of the active layer which overlies the ridge and a confinement layer overlying the active layer. The invention also includes a method of forming a semiconductor laser which includes a substrate having a ridge thereon. The method includes the steps of coating a portion of a flat surface of the substrate with an etch resistant material, etching the surface with an anisotropic etchant thereby forming a mesa therein, removing the etch resistant material, further etching the substrate to round the mesa to form a ridge and depositing the active and confinement layers over the surface and the ridge. |
| 其他摘要 | 半导体激光器包括具有平行端面的主体和在其主表面上具有脊的基板，该主表面在端表面之间延伸，有源层覆盖在脊上并且从覆盖脊的有源层部分的厚度逐渐变细。以及覆盖活动层的限制层。本发明还包括一种形成半导体激光器的方法，该半导体激光器包括其上具有脊的基板。该方法包括以下步骤：用抗蚀刻材料涂覆基板的平坦表面的一部分，用各向异性蚀刻剂蚀刻表面，从而在其中形成台面，去除抗蚀刻材料，进一步蚀刻基板以围绕台面到形成一个脊，并在表面和脊上沉积活动和限制层。 |
| 申请日期 | 1981-06-01 |
| 专利号 | US4429395 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US06/268915 |
| 公开（公告）号 | US4429395 |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01L33/24 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | MORRIS, BIRGIT E. COHEN, DONALD S. BURKE, WILLIAM J. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80651 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RCA CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OLSEN, GREGORY H.,ZAMEROWSKI, THOMAS J.. Semiconductor laser. US4429395[P]. 1984-01-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US4429395.PDF（463KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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