Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザー装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 上野山 雄 | |
| 1995-09-26 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 低しきい値電流動作が可能で、消費電力の低減及び長寿命化を図ることのできる半導体レーザー装置を実現する。 【構成】 ZnSeからなる井戸層11を有する多重量子井戸16を光ガイド層13で挟み、さらにZnMgSSeからなるクラッド層12で挟み込むことにより、半導体レーザー装置を構成する。光ガイド層13を、ZnMgSSe15と間接遷移型の半導体であるAlAs14とからなる超格子構造によって構成する。光ガイド層13の厚さを1000オングストロームとし、多重量子井戸16における井戸層11の幅を50オングストローム、バリア層の幅を60オングストロームとする。 |
| 其他摘要 | [目的]实现一种低阈值电流工作的半导体激光器件，能够降低功耗，延长寿命。 半导体激光器件通过在光导层（13）和由ZnMgSSe制成的包层（12）之间夹入具有由ZnSe制成的阱层（11）的多个量子阱（16）构成。光导层13由超晶格结构形成，该超晶格结构由ZnMgSSe 15和AlAs 14组成，AlAs 14是间接过渡型半导体。光导层13的厚度为1000埃，多量子阱16中的阱层11的宽度为50埃，阻挡层的宽度为60埃。 |
| 申请日期 | 1994-03-14 |
| 专利号 | JP1995249826A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994042252 |
| 公开（公告）号 | JP1995249826A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 池内 寛幸 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80645 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上野山 雄. 半導体レーザー装置. JP1995249826A[P]. 1995-09-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995249826A.PDF（19KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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