Optical semiconductor device

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	Optical semiconductor device
其他题名	Optical semiconductor device
	UCHIDA MAMORU
	1991-07-26
专利权人	CANON INC
公开日期	1991-07-26
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain an optical semiconductor device having large continuous wavelength variable width by forming each region of a gain region section and a wavelength control section in quantum well structure, independently injecting carriers into each region and varying an oscillation wavelength. CONSTITUTION:An n-type clad layer 12, an ADQW active layer 13 and a p-type optical guide layer 14 are laminated onto a GaAs substrate 1 A GRIN-SCH layer 31, a quantum well layer 32, an intermediate barrier layer 34 and a GRIN- SCH layer 35 are shaped from the (n) side in the ADQW active layer 13. A grating 21 is formed onto the optical guide layer 14 only in a Bragg wavelength control region. A p-type clad layer 15 and a p-type cap layer 16 are laminated again. A mesa stripe is shaped up to the clad layer 15, and an n-type buried layer 17 is formed. (p) electrodes 18 and an (n) electrode 19 are shaped, and a gain region, a phase control region and the Bragg wavelength control region are formed. The electrodes are isolated, the gain control region, the phase control region and the Bragg wavelength region are isolated completely by forming grooves 20, and a cleavage plane 22 is shaped.
其他摘要	目的：通过在量子阱结构中形成增益区部分和波长控制部分的每个区域，获得具有大的连续波长可变宽度的光学半导体器件，将载流子独立地注入每个区域并改变振荡波长。组成：n型覆层12，ADQW有源层13和p型光导层14层叠在GaAs衬底11上.GRIN-SCH层31，量子阱层32，中间阻挡层34 GRIN-SCH层35从ADQW有源层13中的（n）侧成形。光栅21仅在布拉格波长控制区域中形成在光导层14上。再次层叠p型覆层15和p型覆盖层16。台面条形成到包层15，并形成n型埋层17。（p）电极18和（n）电极19成形，并形成增益区，相位控制区和布拉格波长控制区。电极被隔离，增益控制区域，相位控制区域和布拉格波长区域通过形成凹槽20而被完全隔离，并且解理面22被成形。
申请日期	1989-12-03
专利号	JP1991173489A
专利状态	失效
申请号	JP1989313817
公开（公告）号	JP1991173489A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80613
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	CANON INC
推荐引用方式 GB/T 7714	UCHIDA MAMORU. Optical semiconductor device. JP1991173489A[P]. 1991-07-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991173489A.PDF（262KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文