Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| HATTORI AKIRA; YAMASHITA KOJI | |
| 1988-10-27 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 公开日期 | 1988-10-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To improve breakdown strength characteristic against the damage at a resonator end face by providing a thin metal film on the end faces of the resonator. CONSTITUTION:An N-type clad layer 2 formed to hold an active layer 1, a P-type clad layer 3, an N-type contact layer 4 formed on the layer 2, a P-type contact layer 5 formed on the layer 3, contact electrodes 6, 7 formed on the layers 4, 5, a thin metal film 8 formed by depositing metal to the front end face Ff of a resonator, and a reflecting film 9 made of a dielectric substance formed on the rear end face Fr of the resonator are provided. The film 8 is formed on the end face of the resonator to form a depletion layer near a Schottky junction to reduce the recombination of carrier in the depletion layer, thereby reducing an optical density at the end face of the resonator and improving breakdown strength characteristic against the damage of the end face of the resonator. |
| 其他摘要 | 用途：通过在谐振器的端面上提供薄金属膜来提高抗谐振器端面损坏的击穿强度特性。组成：形成的N型覆层2，用于保持有源层1，P型覆层3，形成在层2上的N型接触层4，形成在层3上的P型接触层5形成在层4,5上的接触电极6,7，通过在谐振器的前端面Ff上沉积金属而形成的薄金属膜8，以及由在后端面Fr上形成的电介质构成的反射膜9。提供谐振器。薄膜8形成在谐振器的端面上，以在肖特基结附近形成耗尽层，以减少耗尽层中载流子的复合，从而降低谐振器端面处的光密度并改善击穿强度特性。谐振器端面的损坏。 |
| 申请日期 | 1987-04-16 |
| 专利号 | JP1988260093A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1987093762 |
| 公开（公告）号 | JP1988260093A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80599 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HATTORI AKIRA,YAMASHITA KOJI. Semiconductor laser device. JP1988260093A[P]. 1988-10-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1988260093A.PDF（164KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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