| Growth and characterization of GaxIn1-xAs1-ySby epitaxial layers grown by LP-MOCVD | |
| Jingwei Wang; Yiding Wang; Tao Wang; Shuren Yang; Xiaoting Li; Jingzhi Yin; Xiaofeng Sai; SaiHongkai Gao | |
| 2006 | |
| 发表期刊 | Proc. SPIE
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| 期号 | 6029页码:602912-1~6029126 |
| 关键词 | Lp-mocvd Mismatched Gainassb Surface Morphology |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/8046 |
| 专题 | 瞬态光学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jingwei Wang,Yiding Wang,Tao Wang,et al. Growth and characterization of GaxIn1-xAs1-ySby epitaxial layers grown by LP-MOCVD[J]. Proc. SPIE,2006(6029):602912-1~6029126. |
| APA | Jingwei Wang.,Yiding Wang.,Tao Wang.,Shuren Yang.,Xiaoting Li.,...&SaiHongkai Gao.(2006).Growth and characterization of GaxIn1-xAs1-ySby epitaxial layers grown by LP-MOCVD.Proc. SPIE(6029),602912-1~6029126. |
| MLA | Jingwei Wang,et al."Growth and characterization of GaxIn1-xAs1-ySby epitaxial layers grown by LP-MOCVD".Proc. SPIE .6029(2006):602912-1~6029126. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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