Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| KURODA, TAKAO; KAJIMURA, TAKASHI; KASHIWADA, YASUTOSHI; CHINONE, NAOKI; AIKI, KUNIO; UMEDA, JUN-ICHI | |
| 1982-09-01 | |
| 专利权人 | HITACHI, LTD. |
| 公开日期 | 1982-09-01 |
| 授权国家 | 欧洲专利局 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | A semiconductor laser device has at least a semiconductor active layer (12), two semiconductor clad layers (11) which sandwich the active layer and have a wider band gap and a lower refractive index than the active layer (12), an optical resonator, and carrier injection means. At least the active layer (12) has an angle of inclination (θ) relative to an axis which is perpendicular to optically flat faces (13) constituting said optical resonator. The inclination angle θ (rad) should most preferably lie in a range of:where θ2 denotes the reflection angle, θc the critical angle, W one-half of the waveguide thickness, and the cavity length. The laser device is effective for preventing the laser facets from breaking down, and can produce high power. |
| 其他摘要 | 半导体激光器件至少具有半导体有源层（12），两个半导体包层（11），其夹着有源层并具有比有源层（12）更宽的带隙和低的折射率，光学谐振器，和载体注入装置。至少有源层（12）相对于垂直于构成所述光学谐振器的光学平面（13）的轴具有倾斜角（θ）。倾斜角θ（rad）应最优选地位于以下范围内：其中θ2表示反射角，θc表示临界角，W表示波导管厚度的一半，以及腔长。激光装置对于防止激光刻面破坏是有效的，并且可以产生高功率。 |
| 申请日期 | 1982-02-04 |
| 专利号 | EP0057919A3 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | EP1982100816 |
| 公开（公告）号 | EP0057919A3 |
| IPC 分类号 | H01L21/208 | H01S5/00 | H01S5/10 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80419 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI, LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KURODA, TAKAO,KAJIMURA, TAKASHI,KASHIWADA, YASUTOSHI,et al. Semiconductor laser device. EP0057919A3[P]. 1982-09-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| EP0057919A3.PDF（196KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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