Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 歪量子井戸半導体レーザ | |
| 其他题名 | 歪量子井戸半導体レーザ |
| 佐川 みすず; 魚見 和久; 平本 清久; 辻 伸二 | |
| 2000-04-07 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 2000-06-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 光通信システムにおける希土類添加光ファイバ増幅器の励起用光源として、高出力、高信頼性を有し、光ファイバと高効率で光結合する0.98μm帯半導体レーザを実現することを目的とする。 【構成】 GaAs基板1上にInGaAs歪量子井戸活性層4とInGaPにより構成されるn-クラッド層2及びp-クラッド層4を有する歪量子井戸半導体レーザにおいてリッジを形成し、ストライプ領域内のみにクラッド層中にGaAs光導波層を有する構造とする。また、上記リッジ部は再成長によりInGaP電流狭窄層9を有する層を成長させることにより活性層水平方向屈折率導波構造を形成する。 【効果】 本発明により、高出力まで安定なモードで動作する歪量子井戸半導体レーザが得られる。 |
| 其他摘要 | 目的：实现一种具有高输出和可靠性的带状半导体激光器，并确保与光纤高效耦合，作为激发光通信系统中稀有添加光纤放大器的光源。组成：在GaAs衬底1上包括由InGaP形成的Inlay失真量子阱有源层4和n覆层2以及p覆层5的失真量子阱半导体激光器中，形成脊，并且GaAs光导层是仅在条纹区域内提供在包层中。此外，通过快速生长具有InGaP电流限制层9的层，脊部分形成在有源层的水平方向上具有折射率的波导结构。因此，失真量子阱半导体激光器即使在高稳定工作模式下工作也是如此。可以获得输出功率。 |
| 申请日期 | 1992-03-27 |
| 专利号 | JP3053139B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992070599 |
| 公开（公告）号 | JP3053139B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/227 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 作田 康夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80286 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐川 みすず,魚見 和久,平本 清久,等. 歪量子井戸半導体レーザ. JP3053139B2[P]. 2000-04-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3053139B2.PDF（55KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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