Manufacture of semiconductor element

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Manufacture of semiconductor element
其他题名	Manufacture of semiconductor element
	SAWAI MASAAKI; ITOU MITSUO
	1984-12-27
专利权人	HITACHI SEISAKUSHO KK
公开日期	1984-12-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To manufacture high quality semiconductor laser elements by making grooves for cracking on one surface of a wafer which is cleaved from one end of the groove by an external force into narrow strips and separating these along the grooves for cracking. CONSTITUTION:In a wafer 1 which has multi-parallel buried hetero-construction in stripes, an N type clad layer 4, an active layer 2 and a P type clad layer 5 are formed sequentially on the substrate 3. Next, an inverted mesa type stripe part 6 is formed. On the etching groove of the main surface of the wafer 1, a P type block layer 7 and an N type buried layer 8 are grown. On the main surface, an insulation film 9 is also partially formed. On the back surface of the wafer 1, V type grooves for cracking are provided. On one end of the wafer 1, an external force of constant interval is applied to crack along the cracking plane of the crystal into separate strips.
其他摘要	目的：通过在晶片的一个表面上形成裂缝的凹槽来制造高质量的半导体激光元件，该晶片通过外力从凹槽的一端切割成窄条并沿着凹槽将它们分开以便开裂。组成：在条纹中具有多个并联掩埋异质结构的晶圆1中，在基板3上依次形成N型包层4，有源层2和P型包层5.接着，倒置台面型形成条纹部分6。在晶片1的主表面的蚀刻槽上，生长P型阻挡层7和N型掩埋层8。在主表面上，还部分地形成绝缘膜9。在晶片1的后表面上，提供用于破裂的V型槽。在晶片1的一端，施加恒定间隔的外力以沿着晶体的裂缝面裂缝成单独的条带。
申请日期	1983-06-15
专利号	JP1984232475A
专利状态	失效
申请号	JP1983105840
公开（公告）号	JP1984232475A
IPC 分类号	H01L21/301 \| H01L21/78 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80227
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI SEISAKUSHO KK
推荐引用方式 GB/T 7714	SAWAI MASAAKI,ITOU MITSUO. Manufacture of semiconductor element. JP1984232475A[P]. 1984-12-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1984232475A.PDF（351KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文