Manufacture of buried semiconductor laser

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	Manufacture of buried semiconductor laser
其他题名	Manufacture of buried semiconductor laser
	KONNO KUNIAKI
	1986-05-22
专利权人	TOSHIBA CORP
公开日期	1986-05-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To keep good characteristics of a buried layer, and to contrive to improve the manufacturing yield by a method wherein the light confinement of the active layer and the current blocking to block flows of current to the region other than the active layer are carried out by surrounding the active layer with a clad layer formation substance. CONSTITUTION:An N-type InP buffer layer 12 and an SiO2 film 13 are successively formed on an N-type InP substrate 11 of plane orientation 100, and a stripe window 14 is opened in this SiO2 film 13 in the O1-1 direction. Next, three layers of an InGaAsP active layer 15, a P-type InP clad layer 16, and a P-type InGaAsP ohmic contact layer 17 are successively grown. After the SiO2 film 13 is etched away, the side surface of the active layer 15 is filled with an InP buried layer 18 by thermal deformation. Thereafter, in the same manner as the normal process, an SiO2 film 19, an Au-Zn ohmic electrode 20, a Cr-Au film 21 as the P-side electrode, and an Au-Ge film as the N-side electrode are formed, thereby completing the title device.
其他摘要	目的：为了保持埋层的良好特性，并设法通过一种方法来提高制造产量，其中有源层的光限制和电流阻挡阻止电流流到有源层以外的区域。通过用包层形成物质包围有源层。组成：在面取向100的N型InP基板11上依次形成N型InP缓冲层12和SiO2膜13，并且在该SiO2膜13中沿O1-1方向打开条形窗口14。接着，依次生长三层InGaAsP有源层15，P型InP包层16和P型InGaAsP欧姆接触层17。在蚀刻掉SiO2膜13之后，通过热变形在有源层15的侧表面填充InP埋层18。此后，以与常规工艺相同的方式，SiO 2膜19，Au-Zn欧姆电极20，作为P侧电极的Cr-Au膜21和作为N侧电极的Au-Ge膜是形成，从而完成标题设备。
申请日期	1984-10-29
专利号	JP1986104687A
专利状态	失效
申请号	JP1984227401
公开（公告）号	JP1986104687A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01L21/208 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80224
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOSHIBA CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KONNO KUNIAKI. Manufacture of buried semiconductor laser. JP1986104687A[P]. 1986-05-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986104687A.PDF（243KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文