Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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| 其他题名 | - |
| SUGIMOTO MITSUNORI | |
| 1987-09-12 | |
| 专利权人 | NIPPON ELECTRIC CO |
| 公开日期 | 1987-09-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a buried semiconductor laser capable of operating at high power and high temperature with extremely small leakage current by forming the first conductive type semiconductor layer having a forbidden band width smaller than that of a current block layer on a semiconductor substrate. CONSTITUTION:A buffer layer 31, an N type InGaAsP layer 32, a lower clad layer 33, an active layer 34, an upper clad layer 35 and a cap layer 36 are formed by liqid phase epitaxial technique or the like on an N type InP substrate 30. Then, the layers 36, 35, 34, 33 are striped by photoetching with an SiO2 film as a mask. Thereafter, a current block layer 37, a buried layer 38, N type InGaAsP layer 39 are formed again by liquid phase epitaxial technique. Since the layer 32 has a forbidden band width narrower than the current block P type layer (rho-InP)37 corresponding to the base, the gain of an N-P-N transistor 44 becomes small, thereby enabling to set the leakage current IL substantially to zero. |
| 其他摘要 | 目的：通过形成禁带宽度小于半导体衬底上的电流阻挡层的第一导电类型半导体层，获得能够在高功率和高温下以极小的漏电流工作的掩埋半导体激光器。组成：缓冲层31，N型InGaAsP层32，下包层33，有源层34，上包层35和盖层36通过液相外延技术等在N型InP上形成然后，通过用SiO 2膜作为掩模的光刻来对层36,35,34,33进行条纹化。此后，通过液相外延技术再次形成电流阻挡层37，掩埋层38，N型InGaAsP层39。由于层32具有比对应于基极的当前块P型层（rho-InP）37窄的禁带宽度，所以N-P-N晶体管44的增益变小，从而能够将漏电流IL基本上设置为零。 |
| 申请日期 | 1981-08-18 |
| 专利号 | JP1987043356B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1981129055 |
| 公开（公告）号 | JP1987043356B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/227 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80186 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON ELECTRIC CO |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUGIMOTO MITSUNORI. -. JP1987043356B2[P]. 1987-09-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1987043356B2.PDF（165KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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