半導体レーザ

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	半導体レーザ
其他题名	半導体レーザ
	青木雅博; 中原宏治; 魚見和久; 土屋朋信; 佐藤宏
	2007-08-31
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	2007-11-07
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高く、且つ低しきい値電流で高温動作に優れたリッジ導波路型光素子、特に半導体レーザの素子構造及びその作製方法を提供すること。【解決手段】量子井戸構造を有する光学的活性領域(例えば、レーザ活性領域)の障壁層に不純物を添加して、活性層内のキャリアの横方向拡散を低減するリッジ導波路型光素子(半導体レーザ)を構成する。この変調ドープ多重量子井戸活性層構造を有するリッジ導波路型光素子を用いた光送信モジュールおよび光通信システムに応用する。【効果】半導体発光素子の素子性能、歩留まりを飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光モジュール、光通信システムの高性能化、低コスト化を容易に実現できる。
其他摘要	要解决的问题：通过使量子阱层处于特定水平或更低的本征载流子浓度的未掺杂状态并且形成负极或半导体层的阻挡层来获得可以以低阈值电流操作的半导体激光器。具有特定水平或更高的载流子浓度的正导电类型。解决方案：n型InP缓冲层102，应变多量子阱有源层105，其中多量子阱层被n型InGaAsP下引导层和InGaAs上光导层夹在中间，p型InP包层在n型InP半导体衬底101上依次形成层106和高浓度p型InGaAs盖层107.在沉积氧化硅108之前，将其加工成脊形波导激光器结构的宽区域激光器和有源层。量子阱层进入本征载流子浓度为1×10 17 cm -3以下的未掺杂状态，阻挡层由以下组成：和平坦化聚酰亚胺，形成上下电极110,111。负极或正极导电类型的半导体层，其载流子浓度为1×10 17 cm -3或更高。根据该结构，可以降低阈值水平。
申请日期	1997-04-04
专利号	JP4003250B2
专利状态	失效
申请号	JP1997086282
公开（公告）号	JP4003250B2
IPC 分类号	G02B6/42 \| G02B \| H01S \| H01S5/22 \| H01S5/323 \| H01S5/00
专利代理人	井上学
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80168
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	青木雅博,中原宏治,魚見和久,等. 半導体レーザ. JP4003250B2[P]. 2007-08-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4003250B2.PDF（99KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文