III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法

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	III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法
其他题名	III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法
	善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司; 住友隆道; 上野昌纪; 池上隆俊; 片山浩二; 中村孝夫
	2014-08-06
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2014-08-06
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
其他摘要	本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
申请日期	2010-09-29
专利号	CN102549859B
专利状态	失效
申请号	CN201080043433.5
公开（公告）号	CN102549859B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	谢丽娜 \| 关兆辉
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79873
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	善积祐介,盐谷阳平,京野孝史,等. III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法. CN102549859B[P]. 2014-08-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102549859B.PDF（2292KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文