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一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构
其他题名一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构
刘兴胜; 吴的海; 石钟恩
2017-06-27
专利权人西安炬光科技股份有限公司
公开日期2017-06-27
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提出一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构,使其可以在全温度范围下工作。该高功率半导体激光器封装结构包括激光芯片、加热装置、第一导热衬底和第二导热衬底,分别与激光芯片的N面和P面键合,并在键合面形成电连接;所述加热装置采用通过薄膜工艺或厚膜工艺生成的平面加热元件,位于其中一个导热衬底的外侧表面并与该导热衬底保持绝缘。
其他摘要本发明提出一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构,使其可以在全温度范围下工作。该高功率半导体激光器封装结构包括激光芯片、加热装置、第一导热衬底和第二导热衬底,分别与激光芯片的N面和P面键合,并在键合面形成电连接;所述加热装置采用通过薄膜工艺或厚膜工艺生成的平面加热元件,位于其中一个导热衬底的外侧表面并与该导热衬底保持绝缘。
申请日期2017-03-15
专利号CN106898945A
专利状态申请中
申请号CN201710154533.9
公开(公告)号CN106898945A
IPC 分类号H01S5/024
专利代理人胡乐
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79778
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴胜,吴的海,石钟恩. 一种可实现波长稳定的高功率半导体激光器封装结构. CN106898945A[P]. 2017-06-27.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
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