Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 泷口透; 奥贯雄一郎; 境野刚 | |
| 2011-07-06 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2011-07-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。得到能够进行10Gbps以上的高速调制的半导体激光器。形成层叠了p型InP覆盖层(12)(p型覆盖层)、AlGaInAs应变量子阱活性层(14)(活性层)以及n型InP覆盖层(16)(n型覆盖层)的脊结构(18)。用埋入层(20)对脊结构(18)的两侧进行埋入。埋入层(20)具有构成pn结(30)的低载流子浓度p型InP层(26)(p型半导体层)和n型InP层(24)(n型半导体层)。低载流子浓度p型InP层(26)的pn结附近的载流子浓度为5×1017cm-3以下。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。得到能够进行10Gbps以上的高速调制的半导体激光器。形成层叠了p型InP覆盖层(12)(p型覆盖层)、AlGaInAs应变量子阱活性层(14)(活性层)以及n型InP覆盖层(16)(n型覆盖层)的脊结构(18)。用埋入层(20)对脊结构(18)的两侧进行埋入。埋入层(20)具有构成pn结(30)的低载流子浓度p型InP层(26)(p型半导体层)和n型InP层(24)(n型半导体层)。低载流子浓度p型InP层(26)的pn结附近的载流子浓度为5×1017cm-3以下。 |
| 申请日期 | 2009-01-19 |
| 专利号 | CN101593930B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200910002706.0 |
| 公开（公告）号 | CN101593930B |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 闫小龙 | 张志醒 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79642 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 泷口透,奥贯雄一郎,境野刚. 半导体激光器及其制造方法. CN101593930B[P]. 2011-07-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101593930B.PDF（887KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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