Semiconductor laser

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	UENO SHINSUKE
	1986-01-07
专利权人	NIPPON DENKI KK
公开日期	1986-01-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a laser device having large light output by disposing a moire nip structure having an active layer of the thickness lower than the several times of a tube wavelength in a guide layer near both reflecting surfaces in the longitudinal direction of a resonator. CONSTITUTION:An accurate film thickness is controlled by a MOCVD method to laminate an n type GaAs film 10, an n type Al0.4Ga0.6As clad layer 10, an Al0.4 Ga0.5As active layer 12 of 0.04mum thick, and a p type Al0.4Ga0.6As clad layer 13 to selectively each to form a moire structure having 3mum width X 300mum length at the center in the longitudinal direction of a resonator. Then, an insulating Al0.4Ga0.5As guide 16, a p type Al0.4Ga0.6As clad film 17, a p type GaAs cap 18 are superposed, a Zn diffused layer 19 which arrives at the layer 13 is formed, and ohmic electrodes 20, 21 are attached. The laser of this construction is oscillated with low threshold value in high efficiency without implanting reactive current due to leakage, the vicinity of the reflecting surface is on nonexciting region, and the oscillating light is oscillated through the layer 16 having a band gap difference of 146meV or larger. Thus, no heating damage occurs near the reflecting surface to obtain a large output.
其他摘要	目的：通过在谐振器的纵向上的两个反射表面附近的引导层中设置具有厚度低于管波长数倍的有源层的莫尔压区结构来获得具有大光输出的激光器件。组成：通过MOCVD方法控制精确的薄膜厚度，以层压n型GaAs薄膜10，n型Al0.4Ga0.6As包层10，0.04μm厚的Al0.4Ga0.5As活性层12和p形成Al0.4Ga0.6As包层13，以选择性地形成在谐振器的纵向中心处具有3mum宽×300mum长的莫尔结构。然后，叠加绝缘Al0.4Ga0.5As导向16，p型Al0.4Ga0.6As包覆膜17，p型GaAs帽18，形成到达层13的Zn扩散层19，和欧姆电极20，附上21个。这种结构的激光器以低阈值高效振荡而不会由于泄漏而植入无功电流，反射表面附近处于非激励区域，并且振荡光通过带隙差为146meV的层16振荡。或更大。因此，在反射表面附近不发生加热损坏以获得大的输出。
申请日期	1984-06-13
专利号	JP1986001081A
专利状态	失效
申请号	JP1984121393
公开（公告）号	JP1986001081A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/16 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79586
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON DENKI KK
推荐引用方式 GB/T 7714	UENO SHINSUKE. Semiconductor laser. JP1986001081A[P]. 1986-01-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986001081A.PDF（377KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文