Semiconductor light emitting element

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	Semiconductor light emitting element
其他题名	Semiconductor light emitting element
	HOSODA MASAHIRO; HAYASHI HIROSHI; YAMAMOTO SABURO; YANO MORICHIKA
	1987-05-08
专利权人	SHARP CORP
公开日期	1987-05-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve the crystalline property of an excitation part, and increase the reliability of a semiconductor light emitting element, by controlling the generation location of defect in a compound semiconductor layer. CONSTITUTION:On a (100) P-type gallium . arsenic (GaAs) substrate 1, an inverse mesa type protrusion is formed, and then an internal current construction layer 3 of N-type gallium arsenic (GaAs) is formed by liquid phase epitaxial growth. In this process, it is possible to suppress the growth of an internal current constriction layer 3 on the inverse mesa type protrusion 2 by the suitable selection of growth conditions. In the internal current constriction layer 3, a stripe part 4 is formed in parallel to the inverse mesa type protrusion and in the direction of the inverse mesa. The second liquid phase epitaxial growth is performed to form a double hetero-structure. At this time, defects generated in an indium . gallium . arsenic . phosphorus (InGaAsP) active layer 6 concentrate in a defect concentration part 7 corresponding to the upper part of the strip 4. The crystal of the upper part 8 of the inverse mesa type protrusion 2 which acts as an excitation part can be extremely excellent in quality.
其他摘要	目的：通过控制化合物半导体层中缺陷的产生位置，改善激发部分的结晶性能，并提高半导体发光元件的可靠性。组成：在（100）P型镓上。形成反向台面型突起的砷（GaAs）衬底1，然后通过液相外延生长形成N型镓砷（GaAs）的内部电流构造层3。在该工艺中，可以通过适当选择生长条件来抑制反向台面型突起2上的内部电流限制层3的生长。在内部电流限制层3中，条形部分4平行于反向台面型突起并且在反向台面的方向上形成。进行第二液相外延生长以形成双异质结构。这时，铟中产生缺陷。镓。砷。磷（InGaAsP）活性层6集中在与条带4的上部对应的缺陷集中部分7中。作为激励部分的反向台面型突起2的上部8的晶体的质量非常优异。。
申请日期	1985-10-24
专利号	JP1987098689A
专利状态	失效
申请号	JP1985238798
公开（公告）号	JP1987098689A
IPC 分类号	H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79566
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	HOSODA MASAHIRO,HAYASHI HIROSHI,YAMAMOTO SABURO,et al. Semiconductor light emitting element. JP1987098689A[P]. 1987-05-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987098689A.PDF（177KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文