半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	松井康; 宇野智昭; 石野正人
	1997-08-08
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1997-11-26
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To modulate an output from laser beams without changing injecting currents, and to obtain oscillating beams at a stable mode by electrically controlling a degree in which laser beams are coupled with an optical waveguide section adjacently arranged to a semiconductor laser section. CONSTITUTION:An InGaAsP optical waveguide layer 12, N-InP 13, an InGaAsP active layer 21 and a P-InP clad 14 are superposed on an N-InP substrate 11, a P-InP loading section is formed, and ohmic electrodes 16, 17 are attached. The active layer 21 and the clad layer 14 are buried to P-InP 19 and N-InP 20. Currents are injected from the electrode 16, beams emitted from the active layer 21 are laser-oscillated while crossing the waveguide layer 12, and there is a laser output even under the loading section 15 by distribution coupling. When constant currents are flowed through a laser section and the refractive index of a waveguide is changed by an electro-optic effect by utilizing a P-N junction under the loading section 15, coupling with the laser section varies, and an optical output from the laser section largely alters, thus acquiring oscillating beams at a mode more stable than normal direct modulation.
其他摘要	目的：调制激光束的输出而不改变注入电流，并通过电控制激光束与相邻设置到半导体激光器部分的光波导部分耦合的程度，以稳定模式获得振荡光束。组成：InGaAsP光波导层12，N + - InP 13，InGaAsP有源层21和P + - InP包层14叠加在N + - InP衬底11上，P + -OP加载部分形成，并且连接欧姆电极16,17。有源层21和包层14被掩埋到P-InP 19和N-InP 20中。电流从电极16注入，从有源层21发射的光束在与波导层12交叉的同时被激光振荡，并且那里即使在加载部分15下通过分配耦合也是激光输出。当恒定电流流过激光器部分并且通过利用加载部分15下方的PN结通过电光效应改变波导的折射率时，与激光器部分的耦合变化，并且来自激光器部分的光学输出在很大程度上改变，从而以比正常直接调制更稳定的模式获取振荡光束。
申请日期	1984-10-16
专利号	JP2681909B2
专利状态	失效
申请号	JP1984216636
公开（公告）号	JP2681909B2
IPC 分类号	H01S \| G02F \| G02F1/025 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	滝本智之
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79457
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	松井康,宇野智昭,石野正人. 半導体レーザ装置. JP2681909B2[P]. 1997-08-08.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2681909B2.PDF（18KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文