Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| ITSUSHIKI KUNIHIKO | |
| 1985-05-15 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI DENKI KK |
| 公开日期 | 1985-05-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To ensure high geographical accuracy and easy assembly by a method wherein residual stress after an assembly process is mitigated by integrating a submount and a monitoring photoreceiving element into a single body. CONSTITUTION:Portions of an N layer 6c and Si substrate 6a supporting a semiconductor laser chip 1 mitigate the stress generated on the chip 1 by a heat- radiating block 3, and serve as a submount. The surface of the layer 6c facing the cleavage plane of the chip 1 functions as the photoreceiving plane of a photoreceiving element. The photoreceiving element is so constructed that photoelectric current generated across the P-N junction produced along the area between the layer 6c anc P type epitaxial layer 6b is detected at a terminal connected to an electrode 6f and to the block 3. In such a construction, the submount 6 and a photoreceiving element can easily be unified into a single body. |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法确保高地理精度和易于组装，其中通过将基座和监测光接收元件集成到单个主体中来减轻组装过程之后的残余应力。组成：支撑半导体激光器芯片1的N +层6c和Si基板6a的部分减轻了散热块3在芯片1上产生的应力，并用作基座。面向芯片1的解理面的层6c的表面用作光接收元件的光接收平面。光接收元件的结构使得在连接到电极6f和块3的端子处检测沿着层6c和P型外延层6b之间的区域产生的PN结上产生的光电流。在这种结构中，基座6和光接收元件可以容易地统一成一体。 |
| 申请日期 | 1983-10-17 |
| 专利号 | JP1985085588A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1983195534 |
| 公开（公告）号 | JP1985085588A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79280 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI DENKI KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ITSUSHIKI KUNIHIKO. Semiconductor laser device. JP1985085588A[P]. 1985-05-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1985085588A.PDF（93KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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