Multibeam semiconductor laser device

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	Multibeam semiconductor laser device
其他题名	Multibeam semiconductor laser device
	TAKAMURA TAKASHI
	1990-10-18
专利权人	SEIKO EPSON CORP
公开日期	1990-10-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve reliability, and to simplify a process by bonding conductive material wirings in number corresponding to the number of laser beams fitted onto a sub-mount and the electrode of a multibeam semiconductor laser element by a conductive wax material. CONSTITUTION:Gold is vacuum-deposited onto a cubic system boron nitride substrate (a sub-mount) 101, and leading-out electrodes (conductive material wirings) 102 are formed through a photolithographic process. The conductive material wirings 102 in number corresponding to the number of laser beams are shaped onto the sub-mount 101 at that time. The electrodes 105 of a multibeam semiconductor laser element 103 and the conductive material wirings 102 are die-bonded with indium used as a wax material, and lastly wire bonding is executed by a gold wire 104. Accordingly, high reliability is acquired, and a process is simplified.
其他摘要	用途：为了提高可靠性，并通过用导电蜡材料将导电材料配线的数量与安装在子底座和多光束半导体激光元件的电极上的激光束的数量相对应来简化工艺。组成：将金真空沉积在立方晶系氮化硼衬底（子底座）101上，并通过光刻工艺形成引出电极（导电材料布线）102。此时，导电材料布线102的数量与激光束的数量相对应地成形在子底座101上。多束半导体激光元件103的电极105和导电材料布线102用作为蜡材料的铟进行芯片键合，并且最后通过金线104执行引线键合。因此，获得高可靠性，并且处理简化了。
申请日期	1989-03-30
专利号	JP1990257690A
专利状态	失效
申请号	JP1989079002
公开（公告）号	JP1990257690A
IPC 分类号	H01S3/23 \| H01S5/00 \| H01S5/40 \| H01S3/18 \| H01S3/25
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79206
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	TAKAMURA TAKASHI. Multibeam semiconductor laser device. JP1990257690A[P]. 1990-10-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990257690A.PDF（177KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文