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Semiconductor laser
其他题名Semiconductor laser
IWANO HIDEAKI
1988-10-25
专利权人SEIKO EPSON CORP
公开日期1988-10-25
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To obtain a semiconductor laser able to oscillate in a basic lateral mode with small threshold current by a method wherein width of a rib provided in a clad layer just above an active layer, thickness of the clad layer left between the active layer and a ZnSe compound semiconductor layer above the active layer, and Al mixed crystallization of the clad layer are respectively set within prescribed ranges. CONSTITUTION:A double hetero-junction-type semiconductor laser is composed of an active layer 105 consisting of Ga1-xAlxAs(x=0-1) compound semiconductor and clad layers 104 and 106, in which a stripe-like rib 110 is formed in the clad layer 106 just above the active layer 105 so as to reach deeply into the clad layer halfway in thickness, of which both ends are embedded into a ZnSe compound semiconductor layer 107. In such a refractive index wave guide semiconductor laser, the said rib 110 just above the active layer 105 is 0.5-10.0 mum in width w, the clad layer 106 left between the active layer 105 and the ZnSe compound semiconductor layer 107 just above the active layer 105 is 0-2.0 mum in thickness, and the mixing ratio of Al crystal of the clad layer 106 is so set as to be 0.2-0.7.
其他摘要目的:通过一种方法获得能够以小阈值电流在基本横向模式下振荡的半导体激光器,其中在有源层正上方的包层中提供肋的宽度,在有源层和a之间留下的包层的厚度在有源层上方的ZnSe化合物半导体层和包层的Al混合结晶分别设定在规定的范围内。组成:双异结型半导体激光器由有源层105和包层104和106组成,有源层105由Ga1-xAlxAs(x = 0-1)化合物半导体和包层104和106组成,其中形成条状肋110覆层106恰好在有源层105上方,以便深入到厚度中间的包层中,其两端嵌入到ZnSe化合物半导体层107中。在这种折射率波导半导体激光器中,所述肋在有源层105正上方110的宽度为0.5-10.0μm,在有源层105和有源层105正上方的ZnSe化合物半导体层107之间留下的包层106的厚度为0-2.0μm,并且混合包层106的Al晶体的比例设定为0.2-0.7。
申请日期1987-04-15
专利号JP1988258089A
专利状态失效
申请号JP1987092429
公开(公告)号JP1988258089A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79170
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
IWANO HIDEAKI. Semiconductor laser. JP1988258089A[P]. 1988-10-25.
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