Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor laser | |
其他题名 | Semiconductor laser |
IWANO HIDEAKI | |
1988-10-25 | |
专利权人 | SEIKO EPSON CORP |
公开日期 | 1988-10-25 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To obtain a semiconductor laser able to oscillate in a basic lateral mode with small threshold current by a method wherein width of a rib provided in a clad layer just above an active layer, thickness of the clad layer left between the active layer and a ZnSe compound semiconductor layer above the active layer, and Al mixed crystallization of the clad layer are respectively set within prescribed ranges. CONSTITUTION:A double hetero-junction-type semiconductor laser is composed of an active layer 105 consisting of Ga1-xAlxAs(x=0-1) compound semiconductor and clad layers 104 and 106, in which a stripe-like rib 110 is formed in the clad layer 106 just above the active layer 105 so as to reach deeply into the clad layer halfway in thickness, of which both ends are embedded into a ZnSe compound semiconductor layer 107. In such a refractive index wave guide semiconductor laser, the said rib 110 just above the active layer 105 is 0.5-10.0 mum in width w, the clad layer 106 left between the active layer 105 and the ZnSe compound semiconductor layer 107 just above the active layer 105 is 0-2.0 mum in thickness, and the mixing ratio of Al crystal of the clad layer 106 is so set as to be 0.2-0.7. |
其他摘要 | 目的:通过一种方法获得能够以小阈值电流在基本横向模式下振荡的半导体激光器,其中在有源层正上方的包层中提供肋的宽度,在有源层和a之间留下的包层的厚度在有源层上方的ZnSe化合物半导体层和包层的Al混合结晶分别设定在规定的范围内。组成:双异结型半导体激光器由有源层105和包层104和106组成,有源层105由Ga1-xAlxAs(x = 0-1)化合物半导体和包层104和106组成,其中形成条状肋110覆层106恰好在有源层105上方,以便深入到厚度中间的包层中,其两端嵌入到ZnSe化合物半导体层107中。在这种折射率波导半导体激光器中,所述肋在有源层105正上方110的宽度为0.5-10.0μm,在有源层105和有源层105正上方的ZnSe化合物半导体层107之间留下的包层106的厚度为0-2.0μm,并且混合包层106的Al晶体的比例设定为0.2-0.7。 |
申请日期 | 1987-04-15 |
专利号 | JP1988258089A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1987092429 |
公开(公告)号 | JP1988258089A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79170 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | SEIKO EPSON CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | IWANO HIDEAKI. Semiconductor laser. JP1988258089A[P]. 1988-10-25. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1988258089A.PDF(185KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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