Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 近藤 雅文; 細羽 弘之; 兼岩 進治; ▲吉▼田 智彦; 大林 健; 幡 俊雄; 須山 尚宏 | |
| 2003-06-27 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 2003-09-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 InGaAlN層に格子欠陥がなく、高効率、高信頼性を有し層厚およびキャリア濃度の制御が容易にできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、n型クラッド層と、活性層と、結晶成長によりドーパント原子がアクセプターとなりうる格子位置に配されたp型In1-x(GayAl1-y)xNクラッド層(01-u(GavAl1-v)uN層(0 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供在InGaAlN层中没有晶格缺陷的半导体发光元件，具有高效率和高可靠性，并且可以容易地控制层厚度和载流子浓度。 本发明的发光器件包括n型包覆层，有源层，p型In 1-x （ （0 x N包层（Ga y u N层（0 如图1所示，可以控制载流子浓度，并且可以实现激光振荡。 |
| 申请日期 | 1992-06-08 |
| 专利号 | JP3444812B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999117477 |
| 公开（公告）号 | JP3444812B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01S5/323 | H01L33/12 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/20 | H01L33/28 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 深見 久郎 (外5名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79144 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 雅文,細羽 弘之,兼岩 進治,等. 半導体発光素子. JP3444812B2[P]. 2003-06-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3444812B2.PDF（31KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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