Optical semiconductor device

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	Optical semiconductor device
其他题名	Optical semiconductor device
	KUMAI TSUGIO
	1986-11-22
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1986-11-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain an optical semiconductor device having a high integrity, by using a clad layer in a semiconductor laser also as a collector layer of a bipolar transistor and using a cap layer also as an emitter layer. CONSTITUTION:A p-type GaAlAs clad layer 2 and an active layer 3, an n-type GaAlAs clad layer 4, a GaAs base layer 5 and a p-type GaAs current blocking and light trapping layer 6 are grown on a substrate 1 sequentially in that order. A groove is formed by photo lithography in the region where a current constricting part of a semiconductor laser is to be formed such that the groove extends from the surface of the light trapping layer 6 up to the base layer 5. An n-type GaAs cap and emitter layer 7 is formed by the LPE or vapor-phase epitaxial growth. An isolating groove 11 is then formed by the photo lithography, and an opening or groove extending from the surface to the base layer 5 is formed. An n-side and emitter electrode 8, a base electrode 9 and a p-side and collector electrode 10 are provided by means of the vapor deposition and the photo lithography.
其他摘要	目的：通过使用半导体激光器中的包层作为双极晶体管的集电极层并使用盖层也作为发射极层，获得具有高完整性的光学半导体器件。组成：p型GaAlAs包层2和有源层3，n型GaAlAs包层4，GaAs基层5和p型GaAs电流阻挡和光捕获层6顺序生长在基板1上以该顺序。在要形成半导体激光器的电流限制部分的区域中通过光刻形成凹槽，使得凹槽从光捕获层6的表面延伸到基层5.n型GaAs盖发射极层7由LPE或气相外延生长形成。然后通过光刻形成隔离槽11，并形成从表面延伸到基层5的开口或凹槽。通过气相沉积和光刻提供n侧和发射电极8，基极9以及p侧和集电极10。
申请日期	1985-05-20
专利号	JP1986264775A
专利状态	失效
申请号	JP1985105943
公开（公告）号	JP1986264775A
IPC 分类号	H01L27/15 \| H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S5/223 \| H01S5/323
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79127
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	KUMAI TSUGIO. Optical semiconductor device. JP1986264775A[P]. 1986-11-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986264775A.PDF（236KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文