半導体レーザ

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	半導体レーザ
其他题名	半導体レーザ
	松岡隆志; 柴田典義
	1994-07-20
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1994-07-20
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a high efficiency, a high output and a high speed modulation characteristic and to obtain a semiconductor laser having an easy manufacturing process and high yield production by burying a buried region of a side face parallel to the light propagating direction of a stripelike active region with a semi-insulating group II-VI compound material. CONSTITUTION:A current is injected from a metal electrode 8 to arrive at a metal electrode 9. In this case, the current is narrowed by an insulating diffusion stopping layer 6 and a buried layer 7, and injected only to an active layer 3. Since the layers 6, 7 are formed of a material having lower equivalent refractive index when a semiconductor substrate 1, a clad layer 2, an active layer 3, a clad layer 4 and a cap layer 5 are regarded as being one layer, the light can be enclosed in the layer 3. Further, since the layers 6, 7 are transparent, the light oozed from the layer 3 to the layers 6, 7 is not absorbed. Further, since the layers 6, 7 between the electrodes 8 and 9 do not have a junction in an elevational direction, no electric capacity is provided, and a high efficiency, a high output, a low threshold and a high speed modulation are performed.
其他摘要	目的：获得高效率，高输出和高速调制特性，并通过掩埋平行于条纹状光传播方向的侧面的掩埋区域，获得具有简单制造工艺和高产量生产的半导体激光器。具有半绝缘基团II-VI化合物材料的活性区域。组成：电流从金属电极8注入到达金属电极9.在这种情况下，电流由绝缘扩散停止层6和埋层7变窄，并仅注入有源层3。当半导体衬底1，包层2，有源层3，包层4和盖层5被认为是一层时，层6,7由具有较低等效折射率的材料形成，光可以此外，由于层6,7是透明的，因此从层3渗透到层6,7的光不被吸收。此外，由于电极8和9之间的层6,7在高度方向上不具有结，因此不提供电容，并且执行高效率，高输出，低阈值和高速调制。
申请日期	1987-11-20
专利号	JP1994054825B2
专利状态	失效
申请号	JP1987293233
公开（公告）号	JP1994054825B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	山川政樹 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79063
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	松岡隆志,柴田典義. 半導体レーザ. JP1994054825B2[P]. 1994-07-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994054825B2.PDF（19KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文