Variable wavelength semiconductor laser

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	Variable wavelength semiconductor laser
其他题名	Variable wavelength semiconductor laser
	SASAKI TATSUYA; SAKATA YASUTAKA
	1992-10-05
专利权人	NEC CORP
公开日期	1992-10-05
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To reduce the occurrence of leakage currents so as to increase the optical output of the title laser and widen the wavelength variable width by inverting a laminated n-type semiconductor contact layer and semiconductor current blocking layer to p-type and bringing an n-type semiconductor base layer into contact with the n-type semiconductor contact layer. CONSTITUTION:InGaP tuning layer 4, n-type InP base layer 5, active layer 6, the first p-type clad layer 7 are formed by selective growth. All of an n-type InGaAsP contact layer 11, p-type current block layer 13, and n-type current block layer 14 which are grown after an SiO2 film is removed are formed of InGaAsP similar to the layer 7 and the layer thickness on the (111) B plane is made extremely thin. In addition, the n-type layers formed on the (111) B plane are inverted to p-type so that the layers do not interfere with a laser driving current 41 flowing to the first clad layer 7.
其他摘要	目的：通过将层叠的n型半导体接触层和半导体电流阻挡层反转为p型并带来n-来减少漏电流的发生，从而增加标题激光器的光输出并扩大波长可变宽度。键入半导体基层与n型半导体接触层接触。组成：InGaP调整层4，n型InP基层5，有源层6，第一p型覆层7通过选择性生长形成。在去除SiO 2膜之后生长的所有n型InGaAsP接触层11，p型电流阻挡层13和n型电流阻挡层14由类似于层7的InGaAsP和层厚度形成。（111）B平面非常薄。另外，在（111）B平面上形成的n型层被反转为p型，使得这些层不会干扰流到第一包层7的激光器驱动电流41。
申请日期	1991-01-08
专利号	JP1992279078A
专利状态	失效
申请号	JP1991000630
公开（公告）号	JP1992279078A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/06 \| H01S3/103 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79048
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	SASAKI TATSUYA,SAKATA YASUTAKA. Variable wavelength semiconductor laser. JP1992279078A[P]. 1992-10-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992279078A.PDF（183KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文