Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光半導体レーザ | |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザ |
| 大礒 義孝; ▲舘▼野 功太; 小濱 剛孝; テリー セール; 黒川 隆志 | |
| 1997-06-20 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1997-06-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 低閾値電流、発光の高効率化を図った面発光半導体レーザを提供することを課題とする。 【解決手段】 GaAs基板1上に第一光反射鏡としてAlGaAs/GaAsを積層したn型反射鏡3と、格子定数がGaAsに比べて大きく圧縮歪み層を有しInGaAlAs/AlGaAsMQW活性層8と、AlAs/AlGaAs/GaAsp型反射鏡2をエピタキシャル成長して構成され、発振波長が0.8 μm帯である。 |
| 其他摘要 | 提供具有低阈值电流和光发射的高效率的表面发射半导体激光器。 一种InGaAlAs / AlGaAs MQW有源层（8），其具有晶格常数大于GaAs的晶格常数且晶格常数大于GaAs的压应变层，InGaAlAs / AlGaAs MQW有源层AlAs / AlGaAs / GaAsp型反射器2外延生长，振荡波长为0.8μm波段。 |
| 申请日期 | 1995-12-08 |
| 专利号 | JP1997162482A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995320034 |
| 公开（公告）号 | JP1997162482A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S5/183 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 光石 俊郎 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78854 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大礒 義孝,▲舘▼野 功太,小濱 剛孝,等. 面発光半導体レーザ. JP1997162482A[P]. 1997-06-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997162482A.PDF（31KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [大礒 義孝]的文章 |
| [▲舘▼野 功太]的文章 |
| [小濱 剛孝]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [大礒 義孝]的文章 |
| [▲舘▼野 功太]的文章 |
| [小濱 剛孝]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [大礒 義孝]的文章 |
| [▲舘▼野 功太]的文章 |
| [小濱 剛孝]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论