半導体発光装置

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	半導体発光装置
其他题名	半導体発光装置
	塚田俊久; 福沢董
	1995-11-15
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1995-11-15
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To simplify the manufacture by a method wherein excited current is flowed from an electrode, composed of an active region forming an MQW layer and the MQW layer disordered by diffusion, which is offset in the active region. CONSTITUTION:An N-type Ga0.6Al0.4As layer 14, an MQW active layer 4, an N-type Ga0.6Al0.4As layer 14, a P-type Ga0.6Al0.4As layer 15, and an undoped GaAs layer 16 are successively grown on an N-type GaAs substrate 12. The MQW active layer is 5-period lamination structure of GaAs and Ga0.7Al0.3As layers. An Si3N4 insulation film is deposited after growth and processed into a stripe, and Zn diffusion is carried out by using the mask of this piece. This process yields a diffused layer reaching the layer 13. Next, the Si3N4 layer is removed; then, an electrode 11 to a P-type GaAs contact layer 17 is formed out of Cr-Au, and a contact to the substrate 12 out of Au-Ge-Ni. This is cleft and bonded to a Cu heat sink. This system enables lateral mode control by oscillation on low current and can produce lasers easy of arraying by a simple process.
其他摘要	目的：通过一种方法简化制造，其中激励电流从电极流出，该电极由形成MQW层的有源区和通过扩散无序的MQW层组成，MQW层在有源区中偏移。组成：N型Ga0.6Al0.4As层14，MQW有源层4，N型Ga0.6Al0.4As层14，P型Ga0.6Al0.4As层15和未掺杂的GaAs层16在N型GaAs衬底12上连续生长MQW有源层是GaAs和Ga0.7Al0.3As层的5周期叠层结构。生长后沉积Si3N4绝缘膜并加工成条纹，并通过使用该片的掩模进行Zn扩散。该过程产生到达层13的扩散层。接着，去除Si3N4层;然后，由Cr-Au形成电极11至P型GaAs接触层17，并且由Au-Ge-Ni与基板12接触。这是裂缝并粘合到Cu散热器上。该系统通过低电流振荡实现横向模式控制，并且可以通过简单的工艺生成易于布置的激光器。
申请日期	1985-01-25
专利号	JP1995107945B2
专利状态	失效
申请号	JP1985010839
公开（公告）号	JP1995107945B2
IPC 分类号	H01L29/74 \| H01L33/40 \| H01L33/06 \| H01S5/00 \| H01L33/14 \| H01S \| H01L \| H01L33/08 \| H01L33/20 \| H05B33/12 \| H05B33/14 \| H01L33/30 \| H05B \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78767
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	塚田俊久,福沢董. 半導体発光装置. JP1995107945B2[P]. 1995-11-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995107945B2.PDF（19KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文