Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 奥山 浩之; 石橋 晃 | |
| 2001-10-12 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 2001-12-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体より成る半導体レーザの新規な材料構成を提案し、青色レーザもしくは更に短波長の紫色半導体レーザを提供する。 【構成】 基板上に、II-VI族化合物半導体より成る少なくとも第1のクラッド層、活性層及び第2のクラッド層が積層されて成り、少なくともその一部のII族元素材料にBe及びMgが含まれる構成とする。 |
| 其他摘要 | 目的：通过在基板上层叠至少由II-IV化合物半导体，有源层和第二包层组成的第一包层，并至少添加Be和Mg，获得能够发射蓝色短波长激光的半导体激光器。 II族元素材料构成II-IV化合物半导体。组成：半导体激光器是通过在形成于基板1上的缓冲层上外延生长并分别将电极6和7粘附到基板1上而连续形成第一包层2，有源层3，第二包层4和接触层5而形成的。接触层5和基板1的后表面。当使用ZnS基板时，有源层和包层由BeMgZnS构成。当使用GaP衬底时，有源层和包层由BeMgZnSe组成。然后，利用约3.0eV的发光能量，可以获得从紫色到紫外的区域中极短波长的振荡。 |
| 申请日期 | 1993-08-30 |
| 专利号 | JP3239550B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993214227 |
| 公开（公告）号 | JP3239550B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/327 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78755 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,石橋 晃. 半導体レーザ. JP3239550B2[P]. 2001-10-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3239550B2.PDF（35KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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